集电结电容充电时间
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三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
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晶体管处于饱和状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。
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晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于()偏置。
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晶体三极管用于饱和时,应使其发射结、集电结处于()
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三极管处于放大状态时,其集电结处于()。
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晶体管工作在放大状态时,必须满足外加电压发射结(),集电结()。
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晶体管具有放大作用时,它的集电结()偏,发射结()偏。
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三级管的放大条件是发射结(),()集电结。
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当三极管集电结反偏,发射结也反偏时,集电极电流将()。
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三极管工作在截止状态时,集电结、发射结构正偏。
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三极管有两个PN结分别称为发射结和集电结
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三极管处于饱和状态时,发射结、集电结的状态为:()。
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要使三极管处于放大状态,发射结必须(),集电结必须()。
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晶体管工作在放大区时,集电结处于()。
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截止状态下的发射结和集电结都处于()。
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集电结耗尽区渡越时间
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多集电极电流源电路,可通过设计不同晶体管的集电结面积,实现不同的多路电流输出。
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晶体管放大条件是发射结反偏,集电结正偏。()
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三极管处于截止状态时( )。<br/>A.发射结正向偏置,集电结反向偏置<br/>B.发射结反向偏置,集电结反向偏置<br/>C.发射结正向偏置,集电结正向偏置<br/>D.发射结反向偏置,集电结正向偏置<br/>
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3.处于截止状态的三极管,其工作状态为()。 A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结反偏,集电结反偏 C.发射结正偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结正偏
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高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是() (A)益太大 (B)通频带太宽 (C)晶体管集电结电容Cb’c的反馈作用 (D)谐振曲线太尖锐
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三极管发射结正向偏置,集电结反响偏置是()状态
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三极管的饱和条件:发射结正偏、集电结正偏()
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