在沉淀形成过程中，与待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成( )。
相似题目
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在电位法中作为指示电极，其电位应与待测离子浓度（）。
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pH值玻璃电极的电位与待测液的氢离子（）符合能斯特定律
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在沉淀滴定中，如果待测溶液中存在能与滴定剂生成沉淀的两种以上的离子，只要其溶度积比K1/K2>（）（K1<10-8），即可连续滴定，分别求其离子浓度。
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在测定SO42-浓度时，应先加入金属离子作沉淀剂，以沉淀待测离子，过量的沉淀剂应用（）滴定。
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在测定SO42－浓度时，应先加入金属离子作沉淀剂，以沉淀待测离子，过量的沉淀剂应用（）滴定。
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离子选择电极的电位与待测离子活度成线形关系。
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混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
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沉淀称量法中，洗涤沉淀的目的是为了除去混杂在沉淀中的母液和吸附在沉淀表面上的杂质，以及产生共沉淀的其他离子。
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所谓离子交换法，是指利用（）所含有（）的与待测溶液中的阳离子或阴离子进行交换。
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溶液中离子浓度相近时，离子半径大的吸附就（）。
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在沉淀过程中，为了除去易吸附的杂质离子，应采取的方法有（）。
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沉淀析出后，在沉淀与母液一起放置的过程中，溶液中本来难于析出的杂质离子可能沉淀到原沉淀表面上的现象称为（）现象。
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重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）
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在原子吸收分光光度法中，阴离子与待测元素之间的干扰属于（）。
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点蚀是金属材料处于含氯离子较高的酸性介质溶液中，由于材料本身与其内部所含沉淀的杂质之间的电位差而形成的（）腐蚀。
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在电位法中离子选择性电极的电位应与待测离子的浓度（）
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EDTA与待测离子的滴定反应，下列情况可采用返滴定法（）
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在电位法中离子选择性电极的电位应与待测离子的浓度
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在重量分析中,待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近,在沉淀过程中往往形成( )
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在电位分析法中，指示电极的电极电位与待测离子的浓度关系______。
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直接电位法测定离子的浓度时，只有当离子的_________保持不变，膜电位才与待测离子浓度的对数值成___________关系。
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离子选择电极的电位与待测离子浓度的关系( )<br/> A．与待测离子的浓度成正比 B．与待测离子的浓度对数成正比<br/> C．符合扩散电流公式的关系 D．符合能斯特方程式<br/>A.与待测离子的浓度成正比<br/>B.与待测离子的浓度对数成正比<br/>C.符合扩散电流公式的关系<br/>D.符合能斯特方程式
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在测定SO42-浓度时，应先加入金属离子作沉淀剂，以沉淀待测离子，过量的沉淀剂应用（)滴定。A.EDDAB.
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35、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。