三极管放大的条件是（）.

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• 三极管的电流放大作用应满足的条件是什么？

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• 晶体三极管工作在放大状态的条件是发射结加（），集电结加（）。

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• 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

  A . A.发射结正偏、集电结正偏 B . B.发射结反偏、集电结反偏 C . C.发射结正偏、集电结反偏 D . D.发射结反偏、集电结正偏

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• 晶体三极管工作在放大状态的外部条件是（）。

  A . 发射结正偏、集电结正偏 B . 发射结正偏、集电结反偏 C . 发射结反偏、集电结正偏 D . 发射结反偏、集电结反偏

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• NPN型三极管具有电流放大作用，导通的条件是发射结加反向电压，集电结加正向电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 三极管放大区的条件为（）。

  A . A、射结正偏，集电结反偏 B . B、射结反偏或零偏，集电结反偏 C . C、射结和集电结正偏 D . D、发射结和集电结反偏

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• 晶体三极管工作在放大区的条件是（）。

  A . 发射结正偏，集电结反偏 B . 发射结反偏，集电结反偏 C . 发射结正偏，集电结正偏 D . 不确定正反偏

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• 三极管放大的外部条件是（）。

  A . A、发射极正偏，集电极反偏 B . B、发射极反偏，集电极正偏 C . C、发射结正偏，集电结反偏 D . D、发射结反偏，集电结正偏

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• 三极管作放大时的条件是什么？

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• 三极管起电流放大作用的外部条件是：发射结正偏，集电结（）。

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• 三极管工作在放大状态的条件（）。

  A . A、发射结与集电结都正偏 B . B、发射结与集电结都反偏 C . C、发射结反偏、集电结正偏 D . D、发射结正偏、集电结都反偏

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• 三极管处于放大状态的外部条件是（）

  A . 发射结加反向电压、集电结加正向电压 B . 发射结加正向电压、集电结加反向电压 C . 发射结加正向电压、集电结加正向电压 D . 发射结加反向电压、集电结加反向电压

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• 三极管起放大作用的外部条件是集电结加反向电压，发射结加正向电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。

  A . A、发射结反偏 B . B、集电结反偏 C . C、基结反偏 D . D、接收结反偏

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• 三极管饱和区的放大条件为（）。

  A . A、发射结正偏，集电结反偏 B . B、发射结反偏或零偏，集电结反偏 C . C、发射结和集电结正偏 D . D、发射结和集电结反偏

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• 三极管起放大作用的外部条件是（）。

  A . A、发射结正偏、集电结反偏 B . B、发射结反偏、集电结正偏 C . C、发射结正偏、集电结正偏

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• 半导体三极管的放大条件是（）。

  A . 发射结正偏，集电结反偏 B . 发射结正偏，集电结正偏 C . 发射结反偏，集电结正偏 D . 发射结反偏，集电结反偏

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• NPN三极管有电流放大作用，它导通的必要条件是发射结加（）向电压，集电结加（）向电压。

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• 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

  A . 内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B . 内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C . 外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D . 外部条件，发射结反偏。集电结反偏

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• 无论是PNP型还是NPN型三极管，若工作在放大状态时其条件是（）。

  A . A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B . B．发射结集电结都反向偏置 C . C．发射结集电结都正向偏置 D . D．视管子类型而定

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• 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结（）偏置。

  A . 正向 B . 反向 C . 不

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• 三极管工作在放大状态的外部条件是，发射结正偏，集电结反偏 。

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• 晶体三极管工作在放大区的偏置条件是（）。

  A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结反偏，集电结反偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结正偏

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• 三极管的放大区的放大条件为（）

  A．发射极正偏、集电极反偏 B．发射极反偏或零偏 C．发射极和集电极正偏 D．发射极和集电极反偏

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