晶闸管的通态平均电流大于200安培，外部均为平板式。
相似题目
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在规定条件下，由门极触发晶闸管使其导通晶闸管能够承受而不至损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率di/dt。
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其他一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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通态平均电流
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型号为KP200-18F的晶闸管，其额定正向平均电流为（）A。
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通态平均电压值是衡量晶闸管质量好坏的指标之一，其值（）。
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通过晶闸管的通态电流上升率过大，可能会造成晶闸管因局部过热而损坏，而加到晶闸管阳极上的电压上升率过大，可能会造成晶闸管的（）。
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KPAl300—28型主晶闸管通态平均电流ITAS为（）。
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KP20-10表示普通反向阻断型晶闸管的通态正向平均电流时（）。
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晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）
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晶闸管的维持电流IH是指在（）温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小（）电流。
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晶闸管从通态转化为阻断状态的条件是：（）电流降到维持电流以下。
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晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
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通态平均电压是衡量晶闸管流量好坏的指标之一，其值（）。
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三相半控桥式整流电路中，每只晶闸管通态平均电流为负载电流的（）
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如果通过晶闸管的通态电流上升率过大，而其它一切满足规定条件时，则晶闸管将（）。
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普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
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通态平均电压值是衡量晶闸管好坏的指标之一，其值（）。
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图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i1，电流波形的峰值为Im1。计算电流波形的平均值Id1与有效值I1。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991924069846758.png' />
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图中阴影部分为晶闸管的通态电流波形i3，电流波形的峰值为Im3。计算电流波形的平均值Id3与有效值I3。<img src='https://img2.soutiyun.com//1/2021-06-07/991923977221993.png' />
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普通晶闸管的通态电流( )是用( )来表示
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普通晶闸管的通态电流（额定电流)是用电流的（)来表示的
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型号为KP5～20的晶闸管的额定通态平均电流为（）
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