某一晶体管谐振功率放大器,设已知Ec=24V,Po=5W,Ic0=250mA,电压利用系数等于1。求Ic1m,ηc,Pc,Rc?
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已知谐振功率放大器,晶体管转移特性的斜率Eb=-0.2V,Ec=24V,Uj=0.6V,gcr=0.4A/V,Rc=50Ω,Ubm=1.6V,Po=1W,求Icmax,Ucm,ηc?
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某一晶体管功率放大器,已知Ec=24V,Po=5W,Ic0=250mA,电压利用系数ζ=1.求Ps,ηc,Rc,Ic1m?
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已知一高频放大器,Ec=12V ,负载谐振电阻Rc=25 Ω,其集电极脉冲电流的参数Icmax=1A,θ=65° ,α0(65°)=0.236,α1(65°)=0.414。试计算 P0,PS,ηc。
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.9S,Uj=0.6V,Ec=18V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2.5V,Ucm=16V集电极电流脉冲幅值Icmax=1.8A,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,Pc,ηc?
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有一谐振功率放大器,已知晶体管的gc=2000ms,Uj=0.5V,Ec=12V,谐振电阻Rc=130Ω,集电极效率ηc=74.6%,Po=500mW,θ=90°,且工作于欠压状态。试求:Ucm,Ic1m,Ic0,Icmax?
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某谐振功率放大器工作于临界状态,已知Ec=24V,饱和临界线斜率gcr=0.6S,导通角θ=80°,Po=2W。试求:Ps,Pc,ηc?
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晶体管3DG12B组成谐振功率放大器,已知电源电压Ec=18V,Ucm=16V,Icmax=236.5mA。电压利用系数ζ=0.94,gcr=0.219S,θ=80°,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,Pc,ηc?
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已知谐振功率放大器工作在临界状态,晶体管转移特性的斜率g=10ms,U=0.5V,Eb=-0.5V,Ubm=2V,晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V,Ec=24V。 求(1)导通角θ; (2)输出电压振幅值Ucm
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某谐振功率放大器,已知Ec=24V,输出功率Po=5W,晶体管集电极电流中的直流成分Ic0=250mA,输出电压Ucm=22.5V,试求:直流电源输入功率Ps;集电极效率ηc;谐振回路谐振电阻Rc?
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:Ps,Po,ηc?
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=6.94mS,Uj=0.5V,Ec=24V,Eb=-0.5V,输入电压Ubm=2V,gc=10mS,且放大器工作于临界状态。试求:θ,Ic0,Ic1m,Ucm?
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已知晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导gcr=0.8A/V ,用此晶体管做成的谐振功放电路的Ec=24V ,θ=70° ,Ic max=2.2A ,α0(70°)=0.253 ,α1(70°)=0.436并工作在临界状态。试计算PO ,PS,ηC,Rcp。
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有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器,已知EC=24V,P0=2W,工作频率为1MHz,Uces=1.5V,Pcmax=1W,Icm==750mA。求Ucm,Rcm,Ic1m,Ic0? (α1(70°)=0.436,α0(70°)=0.253)
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设某谐振功率放大器工作在临界状态,已知电源电压Ec=36V,集电极电流导通角θ=70°,集电极电流的直流分量为100mA,谐振回路的谐振电阻Rc=200Ω,求放大器的输出功率Po,效率ηc?
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一高频功率放大器工作在临界状态,已知Ec=18V,gcr=0.6A/V,θ=90°。若要求Po=1.8W,求Ps,Pc,ηc,Rc?
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已知谐振功率放大器工作在临界状态,晶体管转移特性的斜率g=10ms,Uj=0.5V,Eb=-0.5V,Ubm=2V,晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V,Ec=24V。 求(1)集电极效率ηc; (2)集电极负载谐振电阻Rc?
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晶体管功率放大器工作于临界状态,已知Ec=35V,Rc=200Ω,Ic0=100mA。求Po,ηc?
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定E<sub>c</sub>=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算IC0,Ic1m和Rc。
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某谐振高频功率放大器,已知晶体管的饱和临界线斜率gcr=0.5mS,Uj=0.6V,Ec=24V,Eb=-0.2V,输入电压Ubm=2V,Rc=50Ω。试求:Icmax,Ucm,ηc?
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用3DA4高频功率管装成放大器,测得fT=1MHz,β=20,额定输出功率Po=20W,晶体管输出特性曲线中饱和临界线跨导,要做成2MHz的谐振功率放大器,选定Ec=24V,θ=70°,Icmax=2.2A,α0(70°)=0.253,α1(70°)=0.436,并工作在临界状态。试计算P0,Ps,PC和ηc。
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某高频功率放大器,已知Ec=12V,Eb=0.4V,Icmax=600mA,输入电压ub=0.4cosωtV,输出电压uce=10cosωtV。 试求:直流电源输入功率Ps; 高频输出功率Po,集电极损耗功率Pc,效率ηc?
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已知VCC=12V,UBE(on)=0.6V,VBB=-0.3V,谐振功率放大器工作在临界状态Ucm=10.5V,要求输出功率Po=1W,θ=60°,试
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【计算题】某高频功率放大器工作在临界状态,已知其工作频率f=520MHz,电源电压EC=25v,集电极电压利用系数ξ=0.8,输入激励信号电压的幅度Ubm =6v,回路谐振阻抗Re=50Ω,放大器的效率ηC=75%。 求:(1)Ucm、Ic1m、输出功率Po、集电极直流能源PD及集电极功耗PC (2)当激励电压Ubm增加时,放大器过渡到何种工作状态?当负载阻抗Re增加时,则放大器由临界状态过渡到何种工作状态?
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4、谐振功率放大器输入回路直流偏置电压UBB = - 0.2 V,晶体管导通电压UBE(on) = 0.6 V,交流输入电压振幅Ubm = 1.6 V。则该谐振功放的通角q为()。
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