硅稳压管是利用二极管的反向击穿特性制成的。()
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可利用稳压管的反向电流变化很大而反向击穿电压()的特性达到稳压目的。
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稳压二极管是利用PN结,反向击穿的特性,运用特殊的工艺方法制成的。
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利用半导体二极管的反向击穿特性,可以组成二极管稳压电路。
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稳压管是工作在反向击穿区的。
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在硅稳压管的简单并联型稳压电路中,稳压管应工作在反向击穿状态,并且应与负载电阻串联。
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硅稳压二极管是利用它的反向击穿性来进行稳压的。
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硅稳压管电路是利用二极管的()特性工作的。
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硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。
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稳压管是一种特殊物质制造的()型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的()击穿区。
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半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的反向击穿特性特性来实现的。
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硅稳压管是具有特殊()特性的晶体二极管。
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在硅稳压管的简单并联型稳压电路中,稳压管应工作在反向击穿状态,并且应与负载电阻串联。并联
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稳压管稳压利用的是它的反向击穿特性。
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硅稳压二极管要求工作在其特性曲线的()区,因此在使用时必须反向连接。
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硅稳压管与普通二极管一样,当反向电压达到击穿电压时,将击穿损坏。
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与普通二极管相比,稳压二极管的反向击穿电压().
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稳压二极管的稳压作用是利用其()特性,故稳压二极管在电路中必须反向连接。
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硅稳压管工作在反向击穿区。
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联在负载两端来稳定负载电压。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管串联接在负载两端来稳定负载电压。()
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因为硅稳压二极管工作在反向击穿区时,在一定的反向电流范围内,管子两端的电压近似为恒定值,所以可将稳压二极管并联接在负载两端来稳定负载电压。()
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在稳压电路中,稳压二极管工作在反向击穿状态
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稳压二极管是利用了其反向击穿特性
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1、测量电阻的伏安特性、发光二极管的正反向伏安特性和稳压管的正反向伏安特性。 整理实验数据,根据实验数据在u-i坐标系下画出电阻、发光二极管、稳压管的伏安特性曲线。 根据实验数据结果总结元件的特性。 思考:如何用万用表判断稳压管的极性及好坏;测量二极管的伏安特性时,正向伏安特性电路图与反向伏安特性电路图的不同在哪里,为什么?稳压管的稳压功能是利用伏安特性曲线的哪一部分,为什么? 撰写实验报告。
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