单位位错
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刃型位错和螺型位错
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利用（）观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。
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单位位错
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
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fcc晶体中（111）面上有柏氏矢量为a［1-10］／2的全位错，（11－1）面上有柏氏矢量为a［011］／2的全位错分解为扩展位错时的领先位错分别为为a［2-1-1］/6和a［－121］／6，则两个领先位错在各自滑移面上运动而相遇时发生新的位错反应形成位错，该新反应得到的位错（ ）运动。
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由位错滑移的派－纳力公式可以知道（ ），位错容易运动。
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典型的位错包括刃位错与（）位错。
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阐述位错概念提出的背景和位错理论的贡献。
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8、位错胞是由高密度位错相互缠结形成的
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单位位错是柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错。所以fcc中单位位错的柏氏矢量为a＜110＞/2。
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螺位错的柏氏矢量与位错线呈（） 关系。
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若面心立方晶体中有b=a/2[-101]的全位错和b=a/6[12-1]的不全位错,此两位错相遇发生位错反应,试问: （1)此反应能否进行？为什么？ （2)写出合成位错的柏氏矢量,并说明合成位错的性质。
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2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
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1、1. 螺位错的位错线（)于滑移方向。
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7、沉淀强化的作用机理是位错不断绕过第二相粒子，在粒子周围形成一个位错塞积群，阻碍后续位错靠近；另一方面相邻粒子间距随着位错环的塞积而减小，增大了位错运动的阻力，进一步使金属得到强化。
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3、螺位错的位错线是（）
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20、位错密度越高，相应位错的伯氏矢量越大。
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11、单选题 能易于进行交滑移的位错是（）。 A:刃型位错; B:螺型位错; C:混合位错 d 自由位错
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位错运动时，易产生增殖;运动时易于发生相互交割，形成割阶，引起位错缠结，因此造成位错运动的障碍。（)
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刃型位错和螺旋位错不能一起出现
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中温回复主要机理是位错运动和异号位错可以互相吸引而抵消，导致位错密度下降。
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1、混合位错的滑移方向与位错线的关系是：
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