必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
相似题目
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场效应管的三个电极分别是()、源极和栅极。
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NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能()。
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根据输入回路与输出回路使用的公用端,可将晶体管放大电路分为共源极放大电路、共漏极放大电路和共栅极放大电路。
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绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。
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晶体管共集电极放大器与场效应管共漏极放大器的输出电压与输入电压间的相位关系为()
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场效应管共漏极放大器(源极跟随器)的特点是()
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场效应管的源极S、栅极G、漏极D,分别对应于晶体管的()。
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场效应管的漏极电流ID受栅源电压UGS的控制,是电压控制元件。
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
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晶闸管只有在阳极和阴极之间加()电压条件下,再在控制极和阴极之间加()信号才能导通。
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一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。
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增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在UGS作用下形成漏极电流ID。
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。
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在选取DDZ-Ⅱ型温度变送器调制管用场效应管V1时,应选用栅漏极间分布电容小的管,以免微分作用使后面的交流放大器不能正常地工作。另外、场效应管的栅极控制电压的幅值也不允许太大。
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MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。
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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
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由于漏极电流受栅-源电压的控制,故称场效应管为电流控制元件。
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结型场效应管的漏极d与源极s,和三极管的集电极c与发射极e一样,不可以互换端子。
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【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。
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N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高,沟道电阻()
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场效应管的漏极电流则受栅£源电压直接控制,是一种()控制器件。
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当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。
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3、CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成,其栅极相连作为输入,漏极相连作为输出,NMOS源极需接 电平,PMOS源极接 电平。
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46、场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小,因此它是电压控制型器件。