1. 以P型半导体作衬底的MOS电容器为例，解释为什么要工作在非稳态才便于实现电荷存储？

相似题目

• 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。

  A . 速度快 B . 集成度高 C . 功耗大

  查看最佳答案

• 世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电？

  查看最佳答案

• 因为P型半导体中空穴多于电子，因此P型半导体呈正电性。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？

  查看最佳答案

• 为什么说MOS电容的组成复杂？

  查看最佳答案

• P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

  A . 正确 B . 错误

  查看最佳答案

• 在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。

  查看最佳答案

• 以平行板电容器为例，我们可以利用原理做成（）型传感器。

  A . A、变间距 B . B、变介质介电常数 C . C、变面积变 D . D、变电阻

  查看最佳答案

• 3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

  查看最佳答案

• 已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

  查看最佳答案

• P型半导体 名词解释

  查看最佳答案

• 对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

  查看最佳答案

• N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。

  是 否

  查看最佳答案

• 1、铝合金热处理强化和钢淬火强化的主要区别是什么？ 2、以Al-Cu合金为例，简要说明铝合金时效的基本过程。 3、试解释：铝合金的晶粒粗大，不能靠重新加热处理来细化。 4、为什么大多数铝硅铸造合金都要进行变质处理？

  查看最佳答案

• 图像传感器信号采集原理是基于光、电信号注入后在MOS电容器衬底势阱区（）的电荷量值

  A．P型载流子 B．N型载流子 C．少数载流子 D．多数载流子

  查看最佳答案

• 对于p型半导体形成的MOS电容结构，当金属端外加负电压时，表面能带向弯曲，表面为状态;对于n型半导体表面能带向弯曲，表面为状态（)。

  A．上，积累，下，耗尽或反型 B．上，耗尽或反型，上，积累 C．上，积累，上，耗尽或反型 D．下，积累，下，耗尽或反型

  查看最佳答案

• 25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

  查看最佳答案

• 26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

  查看最佳答案

• 耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是＞0V、＜0V、=0V。

  查看最佳答案

• 27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）

  查看最佳答案

• 1、P型半导体的多子是电子。

  查看最佳答案