晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏,发射结也处于正偏状态。
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晶体管处于饱和状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。
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晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于()偏置。
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晶体三极管用于饱和时,应使其发射结、集电结处于()
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当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体三极管处于()。
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三极管起电流放大作用的外部条件是:发射结正偏,集电结()。
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当三极管集电结反偏,发射结也反偏时,集电极电流将()。
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晶体三极管截止区的特点是:发射结、集电结均处于正偏状态。
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当晶体管的发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时,具有开关特性。
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三极管处于饱和状态时,发射结、集电结的状态为:()。
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如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管()。
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晶体三极管集电结和发射结均于反向偏置时,三极管处于饱和状态。
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晶体三极管饱和区的特点是发射结和集电结处于反偏状态。
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晶体三极管放大工作区的特点是:发射结反偏,集电结正偏,具有放大电的作用。
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三极管的发射结正偏、集电结正偏时,三极管处于放大状态。
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晶体管放大条件是发射结反偏,集电结正偏。()
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测得三极管发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于()
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三极管在饱和状态时,发射结和集电结都处于正向偏置。()
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3.处于截止状态的三极管,其工作状态为()。 A.发射结正偏,集电结反偏 B.发射结反偏,集电结反偏 C.发射结正偏,集电结正偏 D.发射结反偏,集电结正偏
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3.三极管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。
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三极管的输入输出曲线发射结正偏,集电结反偏是晶体管工作在()区的外部条件
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晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
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当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,晶体管处于()
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晶体管处于饱和状态的特征是:发射结正向偏置,集电结()偏置。
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