集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A

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• 为了使晶体管在放大器中正常工作，需要发射结外加（）电压，集电结外加（）电压。

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• 晶体管工作在放大状态时，必须满足外加电压发射结（），集电结（）。

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• 当晶体三极管的集电结加反向电压，发射结加正向电压时，三极管处于（）状态。

  A . A、截止 B . B、饱和 C . C、放大 D . D、自由

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• 三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 在晶体管放大电路中，发射结加的反向电压，集电极加的是正向电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。

  A . 正确 B . 错误

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• 放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（）发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。

  A . A、PN结 B . B、基极 C . C、发射结 D . D、发射极

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• 当给发射结加上正向电压，集电结加上反向电压，三极管就具备了放大工作条件。

  A . 正确 B . 错误

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• 基极开路，集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫三极管的穿透电流。

  A . 正确 B . 错误

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• 功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。

  A . A.基极最大允许直流功率线 B . B.基极最大允许电压线 C . C.临界饱和线 D . D.二次击穿触发功率线

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• 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A . A．前者反偏、后者也反偏 B . B．前者正偏、后者反偏 C . C．前者正偏、后者也正偏 D . D．前者反偏、后者正偏

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• 如果三极管的集电极-发射极间电压Uce大于集电极-发射极击穿电压BUceo管子会击穿损坏或性能下降。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 当基极开路，集电极和发射极之间加反向电压时产生的集电极电流叫穿透电流。

  A . 正确 B . 错误

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• 要使三极管具有开关作用，发射结加（ ）偏置电压，集电结加（ ）偏置电压。

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• 当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时,三极管的工作状态是( )。

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• 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为

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• 1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A．前者反偏，后者也反偏； B．前者正偏，后者反偏； C．前者正偏，后者也正偏； D．不能确定

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• 如果三极管的集电极£­发射极间电压Uce大于集电极£­发射极击穿电压BUceo管子会击穿损坏或性能下降。（)

  是 否

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• 当三极管发射结处于反向偏置或零偏使基极电流Ib=0时，基极相当于开路，集电极电流Ic约等于零，这时二极管失去放大作用。()

  对 错

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• 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。

  A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏

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• 半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）

  A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者也正偏 D．无法确定

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• 3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。

  A．工作正常 B．放大能力较差 C．击穿 D．管子过热甚至烧坏

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• 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A．前者反偏，后者也反偏； B．前者正偏，后者反偏； C．前者正偏，后者也正偏； D．不能确定；

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• 若使三极管工作在，须将发射结加上适当的正向电压，同时使集电结承受反向电压（）

  A．无触点开关状态 B．饱和状态 C．放大状态 D．截止状态

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