场效应管的主要参数有（）等。

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• 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

  A . 漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量 B . 漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量 C . 基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量 D . 漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

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• 结型场效应管的类型有（）。

  A . N沟道结型场效应管 B . P沟道结型场效应管 C . N沟道增强型MOS管 D . P沟道增强型MOS管 E . N沟道耗尽型MOS管 F . P沟道耗尽型MOS管

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• 场效应管的输入、输出电阻为（）

  A . A、均很小 B . B、均很大 C . C、前者很大，后者较小 D . D、前者较小，后者较大

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• MOS场效应管的英语缩写是（）。

  A . A、“IGBT” B . B、“BJT” C . C、“GTO” D . D、“MOSFET”

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• 结型场效应管的文字符号为（）。

  A . A、S B . B、D C . C、V D . D、A

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• 稳压管的主要参数有（）等。

  A . 稳定电压 B . 稳定电流 C . 最大耗散功率 D . 动态电阻

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• 构成场效应管的材料不包含（）.

  A . 金属 B . 氧化物 C . 超导体 D . 半导体

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• 光纤传输特性参数主要有（）、（）、模场直径色散、零色散波长等。

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• 场效应管的电极为（）。

  A . 基极b B . 发射极e C . 集电极c D . 源极s E . 栅极g F . 漏极d

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• 场效应管的结构分为（）和（）两类。

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• （）不是场效应管的电极.

  A . 阳极 B . 源极 C . 漏极 D . 栅极

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• 场效应管的三个电极为（）。

  A . 栅极 B . 集电极 C . 源极 D . 漏极 E . 发射极

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• 场效应管的分类有哪些？

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• 场效应管的工作状态可分为（）。

  A . 可变电阻区 B . 发射区 C . 饱和区 D . 基区 E . 夹断

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• 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。

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• 场效应管的类型有（）。

  A . 结型场效应管 B . 绝缘栅型场效应管 C . N沟道增强型MOS管 D . P沟道增强型MOS管 E . N沟道耗尽型MOS管 F . P沟道耗尽型MOS管

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• 简述场效应管的主要参数有哪些？

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• 场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要（）

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• 场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。

  A . 正确 B . 错误

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• 【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。

  A．Y.是 B．N.否

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• 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

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• 4、场效应管的参数gm与静态工作点无关。

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• 电路如图题4.6.2（主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V卐

  电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示，设场效应管的参数为g_m1=0.7mS，λ₁=λ₂=0.01V^-1。场效 应管静态工作时的偏置电流I_REF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益A_e。 <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-11-17/97447865220952.png' />

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• 场效应管的最主要特性是（）

  A．输入电阻非常高 B．输入电阻非常小 C．放大能力特别强化 D．非线性特别小

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