温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。
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半导体中有()和空穴两种载流子。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
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在半导体中,通常有()和空穴两种载流子。
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N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
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半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率,它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子-空穴对”需要的平均电离能是多少?法诺因子的范围是多少?
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本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。()
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本征半导体中,空穴对外呈正电,其电量与电子电量相等。
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本征半导体中存在两种载流子:自由电子和空穴
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在本征半导体中掺微量的三价元素,就称为P型半导体,其多数载流子是空穴,少数载流子是(________),它主要依靠多数载流子导电。
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在本征半导体中,自由电子浓度_______空穴的浓度
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P型半导体又叫(_ _ _)型半导体,它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的,其中多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子
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1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
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在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
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一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.
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【单选题】本征半导体中自由电子和空穴的数目
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本征半导体中,电子和空穴的浓度相等()
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20、P型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为多数载流子。
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本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度()
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质,且杂质浓度基本相等,则该半导体类似于本征半导体,半导体中的载流子基本由本征激发提供
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8、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
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6、在P型半导体中空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。
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