在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。

相似题目

• 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

  A . 正确 B . 错误

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• 说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

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• 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  A . A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B . B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C . C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D . D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E . E．自由电子，空穴；扩散，扩散

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• 半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级

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• 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

  A . 正确 B . 错误

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• 半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。

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• 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  A . 温度 B . 掺杂工艺 C . 杂质浓度 D . 晶体缺陷 E . 空穴 F . 自由电子

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• 一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

  A . A.1/4； B . B.1/e； C . C.1/e2； D . D.1/2

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• 半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率，它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子－空穴对”需要的平均电离能是多少？法诺因子的范围是多少？

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• 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在本征半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。

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• 本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴

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• 在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

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• 在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。

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• P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。

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• Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子

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• ◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷

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• 半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。

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• 1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

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• 【判断题】温度越高，本征激发产生的载流子越多。

  A．Y.是 B．N.否

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

  A．温度 B．杂质浓度 C．晶体缺陷 D．掺杂工艺

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• 2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？

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