1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

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• N型杂质半导体中，多数载流子是（）

  A . 正离子 B . 负离子 C . 空穴 D . 自由电子

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• 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

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• 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 杂质半导体中少数载流子浓度（）

  A . 与掺杂浓度和温度无关 B . 只与掺杂浓度有关 C . 只与温度有关 D . 与掺杂浓度和温度有关

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• 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  A . 温度 B . 掺杂工艺 C . 杂质浓度 D . 晶体缺陷 E . 空穴 F . 自由电子

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• 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

  A . 温度 B . 杂质浓度 C . 电子空穴对数目 D . 都不是

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• 在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）

  A . 电子、空穴 B . 空穴、电子 C . 电子、电子 D . 空穴、空穴

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• 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

  A . A．空穴／自由电子 B . B．自由电子／空穴 C . C．空穴／共价键电子 D . D．负离子／正离子

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• 在P型半导体中，（）是多数载流子。

  A . 空穴 B . 电子 C . 硅 D . 锗

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• 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

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• ◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷

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• 在P型半导体中（)占多数，是多数载流子。

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• 在N型半导体中，（）是多数载流子。【323110206__

  A．空穴 B．硅 C．电子 D．锗

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• 对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

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• 在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

  A．温度 B．杂质浓度 C．晶体缺陷 D．掺杂工艺

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• 1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。

  A．自由电子 B．空穴 C．多子 D．少子

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• 7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。

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• 2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？

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• 6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

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