杂质半导体中少数载流子浓度（）

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• N型杂质半导体中，多数载流子是（）

  A . 正离子 B . 负离子 C . 空穴 D . 自由电子

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• 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。

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• 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

  A . 正确 B . 错误

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• N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  A . 温度 B . 掺杂工艺 C . 杂质浓度 D . 晶体缺陷 E . 空穴 F . 自由电子

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• 杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）

  A . 温度 B . 杂质浓度 C . 电子空穴对数目 D . 都不是

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• 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

  A . A.变大，变小 B . B.变小，变大 C . C.变小，变小 D . D.变大，变大

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• 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

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• 空穴为（ ）载流子。自由电子为（ ）载流子的杂质半导体称为P型半导体。

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• P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。

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• P型半导体中的多数载流子是______；少数载流子是______。

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• ◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷

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• 1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷

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• 半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是（）

  A．自由电子 B．空穴 C．带负电的杂质离子 D．正电荷

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• 在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• 20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。

  A．温度 B．杂质浓度 C．晶体缺陷 D．掺杂工艺

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• 1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。

  A．自由电子 B．空穴 C．多子 D．少子

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• 2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？

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• 6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。

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