2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
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N型杂质半导体中，多数载流子是（）
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在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
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杂质半导体中少数载流子浓度（）
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N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）
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N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
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在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
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在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
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P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是（）
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在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。
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20、P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。
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3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供
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1、杂质半导体中的载流子受温度影响较大的是（）。
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2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
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6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
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