一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
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考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）
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金属材料在焊接碦中会产生哪些有害因素？
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在涂装用水方面，只要原水电导在（）µS/㎝。
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在实验室采用破坏试验法测试材料的强度。在测试过程中试验条件对测试结果影响很大。下列条件中会对测试结果产生影响的有（）。
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世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
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电缆中流过电流时，导体会发热，（）会产生介质损耗，护层中会有涡流等损耗。
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光伏电池是以半导体PN结上接受光照产生（）效应为基础，直接将光能转换成电能的能量转换器。
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半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
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当导体相对于磁场运动而切割磁力线，在导体中会产生()。
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在电流差动保护信号传输中，传输延时是非常重要的指标。一般光缆传输系统产生的延时可用（）µs/km来估算。
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含氟和氯的塑料在成形过程中会放出（）气体，使模具产生锈蚀，加重磨损而损坏，故要求模具材料具有良好的耐蚀性。
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在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
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光在半导体材料传播是不会产生衰减。
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（）是在一块半导体材料上，制作出三个区，构成两个PN结，并分别从三个区中引出三条引线，在封装在管壳里。
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在光照条件下，以下哪个植物器官或结构中没有任何细胞中会形成叶绿体。（）
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轨脚焊缝探伤中会产生哪些非缺陷回波？
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半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
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在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。
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3、在光照作用下，材料内部产生一定方向电动势的光电效应，称为光生伏特效应。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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一块本征硅半导体,掺人五价元素砷,依度为10<sup>14</sup>cm<sup>-3</sup>试分别求出T=300K、500K时自由电子和空穴的热平衡浓度值,,并指出相应半导体类型.
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15、下列各项中会导致企业产生一项法定义务的是（）。
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当导体回路所包围的磁通发生变化时，在电中会产生（）
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有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10<sup>22</sup>cm<sup>-3</sup>·s<sup>-1</sup>，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
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