半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
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如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。
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温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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当光子与物质相互作用时，光子的波长增大，运动方向改变，这是由于哪一效应的结果。（）
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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杂质半导体中少数载流子浓度（）
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
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无机离子泵学说认为，气孔在光照下张开时，保卫细胞内（）离子浓度升高，这是因为保卫细胞内含（），在光照下可以产生（），供给质膜上的（）作功而主动吸收（）离子，降低保卫细胞的水势而使气孔（）。
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载流导体在垂直磁场中将受到（）的作用。
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载流导体在磁场中将会受到（）的作用。
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如果受到光照，半导体的自由电子数将增加，电阻值将（）。
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在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
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半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
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对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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2、在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于 。
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有一块半导体材料的寿命是lus，无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射，光被半导体均匀吸收，电子-空穴的产生率是10<sup>22</sup>cm<sup>-3</sup>·s<sup>-1</sup>，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数载流子的贡献占多少比例？
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2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
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