如果半导体内载流子浓度分布不均匀，那么无需电场力作用，载流子便会从（）运动。
相似题目
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导体中的总电场是由外电场和分布电荷产生的二次电场共同作用的结果，在稳定状态下两种场在导体中总是大小相等方向相反互相抵消。
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半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）
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半导体屏蔽纸除了起均匀电场作用外，也可以起（）作用。
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半导体屏蔽纸起均匀电场作用。
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静电场中导体的特点是：在导体表面形成一定面积的电荷分布，是导体内的电场为0，每个导体都成等位体，其表面为（）。
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在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
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杂质半导体中少数载流子浓度（）
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电缆终端处的电场分布不均匀，（）。
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在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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在AB导体内，自由电子在电场力作用下由A向B方向运动，则导体内电流的方向是（）。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）
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金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。
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天线的有效长度是指一个电流分布不均匀的天线可以用一个沿线电流分布均匀的基本振子来等效，如果两者在各自的最大辐射方向上场强相同，那么基本（）的长度就叫天线的有效长度。
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在电场极不均匀的情况下，导体附近的电场强度达到气体的击穿场强时发生的放电是（）放电。
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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内屏蔽层起均匀电场作用，防止绝缘与导体之间产生间隙而引起局部放电。
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极不均匀电场中，屏障的作用是由于其对（）的阻挡作用，造成电场分布的改变。
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无限长载流空心圆柱导体的内，外半径分别为a、b，电流再导体截面上均匀分布，则空间各处的B大小与场点到圆柱中心轴线的距离r的关系是随着r的增大逐渐减小的。（）
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在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
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半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
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固体介质处于不均匀电场中时，根据与固体介质表面垂直的法线分量的强弱，可以将固体介质表面的电场分布区分为弱垂直分量的不均匀电场和强垂直分量的不均匀电场（）
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在外加电场下,半导体中载流子的下列物理量中,与平均自由时间成正比,与有效质量成反比的有:
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48、在不带电的孤立导体球壳A的中心放一个点电荷q，则下述说法正确的是： （1) 若在球壳内移动q，壳外的电场将发生变化； （2) 若将q与壳接触，壳外的电场将不变； （3) 若从外部将另一带电导体B移近球壳A，壳外表面的电荷分布将发生变化； （4) 若从外部将另一带电导体B移近球壳A，壳内表面的电荷分布将不变。