半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级

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• 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。

  A . A.1 B . B.1/2 C . C.1/3 D . D.2/3

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• 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

  A . 正确 B . 错误

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• 说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。

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• 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？

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• 在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。

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• 对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。

  A . 上移 B . 下移 C . 不变

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• 一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。

  A . A.高于 B . B.小于 C . C.等于 D . D.无法确定

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• 当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

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• 在本征半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。

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• N型半导体的费米能级处于禁带（）。

  A . 中间 B . 上部 C . 下部 D . 不确定.

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• 什么叫统计分布函数，费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者，为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？

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• N型半导体的费米能级在本征费米能之上。

  A . 正确 B . 错误

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• 本征半导体中存在两种载流子：自由电子和空穴

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• 费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。

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• 在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。

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• P型半导体是在本征半导体中掺入 价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是 。

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• Ｐ型半导体又叫（_ _ _)型半导体，它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的，其中多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子

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• 12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高

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• 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。

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• 计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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• 3、3、若半导体中同时存在施主杂质和受主杂质，且杂质浓度基本相等，则该半导体类似于本征半导体，半导体中的载流子基本由本征激发提供

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• 19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。

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