费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
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当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
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半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级
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在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。
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对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
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一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
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表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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N型半导体的费米能级处于禁带（）。
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在温度T=300K，比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。（）
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对于高架污染源来说，离污染源越近，污染物的浓度就越高。()
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费米能级Ef的意义是电子占据率为（）时所对应的能级。
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N型半导体的费米能级在本征费米能之上。
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12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
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费米－狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（)。
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已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
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计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
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核外电子运动的能级轨道,离核越近其轨道能量（）
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费米-狄拉克分布函数预测：远远低于费米能级的位置其电子占据的几率趋向于（）
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当费米能级低于导带极值的能量＞＞K0T时，以下描述正确的是（）
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16、负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。
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3、晶体中大量电子能级分布组成密集的能级带，称为能带，其中“价带”能级最低，“导带”能级最高。
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19、本征激发占主导地位时，非简并半导体的费米能级趋于禁带的中线位置。