短沟道效应
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D沟道型场效应管中的载流子是（）
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增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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窄沟道效应
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N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）
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一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）
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N沟道结型场效应管正常工作，应在其栅源之间加正向电压
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（)。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0
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绝缘栅场效应管工作原理对N沟道增强型场效应管作放大作用时，场效应管应工作在（）区
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7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零（）。
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N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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随着工艺节点不断推进，沟道长度越来越短，阈值电压随之增大。（)
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当工作在恒流区时，N沟道结型场效应管栅极电位（)源极电位，PN结（)。
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1、工作在饱和状态的场效应管，沟道形状的描述正确的是______。
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19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
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结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式（）
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时，存在导电沟道。
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1、有效沟道长度调制效应对短沟道（L尺寸小）MOSFET ，对长沟道（L尺寸大）MOSFET 。