耗尽型MOS管工作在恒流区时的栅-源电压可以是>0V、<0V、=0V。
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如图所示为恒流源电路,已知稳压管工作在稳压状态,试求负载电阻中的电流IL。https://assets.asklib.com/psource/2015071715263386163.jpg
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测得NPN型晶体三极管的极间电压UBE=0.7V、UCE=0.3V,则该管工作在()。
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在恒流源锯齿波电压发生器中,利用恒流源给电容充电的目的是()。
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UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。
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场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。()
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UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。
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结型场效应管工作在恒流区时,其uGS 小于零。()
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uGS=0时可工作在恒流区的场效应管有______。
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结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其大的特点。/ananas/latex/p/1654
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绝缘栅场效应管结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点()
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场效应管结型和耗尽型MOS场效应管,具有夹断电压()
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7、P沟道结型场效应管工作在恒流区其栅-源电压UGS应小于夹断断电压大于零()。
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24、设MOS管的VPN=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
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当工作在恒流区时,N沟道结型场效应管栅极电位()源极电位,PN结()。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-1V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=-3V,UGS=-2V时,可以断定该MOS管工作在截止区。
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14、增强型MOS管工作在饱和区(放大区)时,其栅源电压必须大于零。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)=-2V,当测量到它在电路中的电压值为:UDS=3V,UGS=-1V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。
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10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时,外加栅源电压vGS的极性为______。
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23、设MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在恒流区。
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15、作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
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12、一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为()。