10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
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P N 结加正向电压时，P N 结 _ ____________ ；加反向电压时，P N 结截止 。这种特性称为P N 结的单向导电性。
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一场效应管漏极特性如图3－1所示，则（1）该场效应管管型为（________）；（2）夹断电压Vp或开启电压VT（________）；（3）Idss=（________）。
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栅源之间的绝缘氧化层很薄，承受电压很低，一般不得超过___________。
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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下列程序运行后的输出结果是__________。main(){int b[10]={5,4,3,2},*p;for(p=b;p
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P N 结两端加正向电压时，即P区接电源_ ____________ 极 。
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双极型晶体管导电的载流子是_________；N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
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对称三相交流电路有功功率的表达式P=3UIcosΦ中的电压和电流是____。
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渡槽进口段采用梯形或弧形断面的喇叭口，从沟道入流衔接段渐变到槽身渐变段，长度一般大于槽宽的5～10倍，且不应小于20m，其扩散角应小于______。
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N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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若有intx[]={1，2，3，4，5，6，7，8，9，10}，*p=x；则值为4的表达式是 ______。A．p+=2，*（p++)B．p+=2，*++pC．
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依据华电《电力安全工作规程(热力和机械部分)》(2013年版)，行灯电压不应超过36V，在周围均是金属导体的场所、潮湿的容器内、有爆炸危险的场所(如煤粉仓、沟道内)、脱硫烟道系统等处工作时，不应超过___。
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有如下说明：int a[10]={1，2，3，4，5，6，7，8，9，10}，*p=a；则数值为9的表达式是______。A．*p+9B．*（p+8)C
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有如下说明：inta[10]={1，2，3，4，5，6，7，8，9，10}，*p=a；则数值为9的表达式是_____。A．*p+9B．*（p+8)C．*
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双电源乙类互补对称功率放大器中，已知负载电阻阻值为8欧，若不考虑功放管的饱和压降，要求在理想情况下最大输出功率为9W。则该电路的电源电压和功放管的最大集电极额定功耗分别至少应该为________。
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9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时，外加栅源电压vGS的极性为______。
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15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
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22、若有定义int w[10]={23,54,10,33,47,98,72,80,61},*p=w;则不移动指针p，且通过指针p引用值为98的数组元素的表达式是___________。
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12、一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。
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