3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。
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下面程序把数组元素中的最大值放入a[0]中。则在if语句中的条件表达式应该是 main（） {inta[10]={6，7，2，9，1，10，5，8，4，3}，*p=a，i； for（i=0；i<10；i++，p++） if（________）*a=*p； printf（"%d"，*a）； }
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
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对于文法G＝{{0，1}，{S，A，B），P，S}，其中P中的产生式及序号为：①S→0A②S→1B③A→1S④A→1⑤B→0S⑥B→0与该文法等价的正规式是__（1）__，其中，若采用最右推导产生句子100110使用的产生式编号的序列为__（2）__；句型01011B的直接短语是__（3）__，句柄为__（4）__。空白（3）处应选择（）
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对于文法G＝{{0，1}，{S，A，B），P，S}，其中P中的产生式及序号为：①S→0A②S→1B③A→1S④A→1⑤B→0S⑥B→0与该文法等价的正规式是__（1）__，其中，若采用最右推导产生句子100110使用的产生式编号的序列为__（2）__；句型01011B的直接短语是__（3）__，句柄为__（4）__。空白（4）处应选择（）
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对于文法G＝{{0，1}，{S，A，B），P，S}，其中P中的产生式及序号为：①S→0A②S→1B③A→1S④A→1⑤B→0S⑥B→0与该文法等价的正规式是__（1）__，其中，若采用最右推导产生句子100110使用的产生式编号的序列为__（2）__；句型01011B的直接短语是__（3）__，句柄为__（4）__。空白（1）处应选择（）
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对于文法G＝{{0，1}，{S，A，B），P，S}，其中P中的产生式及序号为：①S→0A②S→1B③A→1S④A→1⑤B→0S⑥B→0与该文法等价的正规式是__（1）__，其中，若采用最右推导产生句子100110使用的产生式编号的序列为__（2）__；句型01011B的直接短语是__（3）__，句柄为__（4）__。空白（2）处应选择（）
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P型半导体主要依靠（________）载流子导电。
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P N 结加正向电压时，P N 结 _ ____________ ；加反向电压时，P N 结截止 。这种特性称为P N 结的单向导电性。
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在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是（________），它主要依靠多数载流子导电。
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有以下程序，其运行结果是______。 #include void main() { int a[]={1,2,3,4},y,*p=&a[3]; ++*p; y=*p--; printf('y=%d',y); }
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杂质半导体中有________和________两种载流子参与导电，其中________带正电，而________带负电。
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已知int *p，a；则语句“p=&a；”中的运算符“&”的含义是____________。
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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下列程序运行后的输出结果是__________。main(){int b[10]={5,4,3,2},*p;for(p=b;p
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双极型晶体管导电的载流子是_________；N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
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20、当半导体硅中掺有受主杂质时，主要靠______导电，这种半导体称为P型半导体。
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P型半导体中的多数载流子是______；少数载流子是______。
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例设P={（1，2)，（3，4)，（2，2)}Q={（4，7)，（2，9)，（3，1)}则P·Q=__________
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P型半导体导电的是__（）
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微型计算机中的"奔3"（P Ⅲ）或"奔4"（P Ⅳ）指的是______。
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10、P沟道增强型场效应管工作在恒流区时，外加栅源电压vGS的极性为______。
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3、正栅压使石墨烯成为______导电
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2、已知指针p指向单链表L中的某结点，则删除其后继结点的语句是：________
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10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________