FPM DRAM芯片中的快页读写方式就是猝发传送方式。
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存储系统的刷新地址提供给所有DRAM芯片。
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与DRAM相比,静态RAM、SRAM的容量与读写速度为()
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为了提高CPU访问硬盘的工作效率,硬盘通过将数据存储在一个比其速度快得多的缓冲区来提高与CPU交换的速度,这个区就是高速缓冲区,它是由DRAM芯片构成的。
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虚电路和数据报这两种传送方式有何区别?七号信令中的TUP消息的传送是采用哪种传送方式?
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存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址,被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。
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EDO RAM和FPM DRAM的最大区别是()。
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总线中,猝发传输方式可提高数据传输速度
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采用与上题相同容量的DRAM芯片,则该芯片的地址线条数为()。
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猝发传送是一种什么传送?
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猝发转输方式
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SRAM和DRAM均为RAM存储器,二者的容量与读写速度为()
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可编程并行接口芯片8255工作在方式0时,使用的传送方式是:()
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并行接口芯片8255可以支持以下传送方式中的:()
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分组无线电网的基本任务是传送猝发数据文电。
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64K*1位的DRAM芯片通常有()地址线引脚。
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微机大容量主存一般采用DRAM芯片组成。
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对DRAM芯片的刷新是按( )进行的。
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以下叙述中错误的是()。A.顺序文件中的数据只能按顺序读写B.对同一个文件,可以用不同的方式和不同
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一DRAM芯片内部阵列2048行*1024列_其刷新周期为16ms_读写周期为0.5us_采用分散刷新方式_则芯片刷新一遍需时间。;()
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C++程序中,如果要求将文件中的所有数据依次进行处理,则使用文件的随机读写方式处理文件更为合理。()
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一DRAM芯片内部阵列2k行*1k列_其刷新周期为16ms_采用分散刷新方式_则两行之间刷新间隔时间为。;()
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有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:(1)共需要多少RAM芯片?(2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少(3)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?
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与DRAM芯片相比,SRAM芯片的特点是______。
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SRAM和DRAM的读写速度比较?
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