高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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焊缝的粒状晶，相当于母材晶粒外延生长。所以，焊缝母材某些晶粒的尺寸可能等于焊缝粒状晶的尺寸。
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外延生长的方法有哪几种？
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外延生长的目的是什么？
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外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
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PN结的基本性质是单向导电性，即外加正向电压时呈低阻性，它导通，外加反向电压时呈高阻性，它截止。
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分子束外延生长有什么特点？
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金属有机物气相外延生长和一般的气相外延生长的最大区别是什么？
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
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利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后，还要经过什么工艺，才能形成一颗颗独立的LED芯片？
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
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外延工艺按方法可分为哪些？
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通常将由低压向外延伸的狭长区域称为（）。
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从外延上看，我们把围绕政府内部行政关系而形成的公共关系，称为政府内部公共关系。
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浮生（外延生长）
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通常将由高压向外延伸的狭长区域称为（）。
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由低压向外延伸的狭长区域称为：（ ）
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2、实际VPE工艺温度多在质量传递控制区，此时外延速率：
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6、硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
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12、在实际利用液相外延技术生长砷化镓薄膜的过程中，衬底材料与外延材料可能不一致，由于二者的晶格常数不同，会存在（）失配。
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制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
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外延层的性能在某些方面优于体材料，比如不含碳和氧（）
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9、气相外延生长硅需要进行抛光，常用的抛光物质是： 。
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2、液相外延技术的典型实验温度为700-900℃，薄膜生长速率为1nm/min数量级。
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作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。LED产业链包括LED外延片生产、LED芯片生产、LED芯片封装及LED产品应用等四个环节。一般将外延生产视为这个产业的上游，芯片制造为中游，封装以及应用为下游。产业链的上游具有技术和资本密集的特点，下游的进入门槛相对较低。从产业链上看，我国在LED衬底、外延、芯片环节比较薄弱。 目前，在从事LED照明灯具产品生产的企业中，高端产品仍然以国外厂商为主。而反观国内LED灯具生产企业，普遍存在规模小、技术实力弱、产品档次低的现状。我国高光效、高可靠的LED应用产品几乎全部依赖于进口的高档外延芯片，我国的LED外延芯片生产近年虽有很大发展和进步，但仍停留在中低档水平。 目前，上海、北京、深圳等一线城市，随着第一批LED显示屏相继计入更新换代的时期，客户更加注重产品品质和维护服务了，对产品的要求也比以前更高了。因此，“粗放型”的市场模式再也不能满足用户需求了，
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