制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E<sub>F</sub>位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时的E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10<sup>15</sup>cm<sup>-3</sup>,计算300K时E<sub>F</sub>位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。
相似题目
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N型杂质半导体中，多数载流子是（）
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IN型光电二极管的结构分为（）层，P区和N区之间较厚的一层是（）半导体。
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扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
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光电池的工作原理是基于光生伏特效应的，硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结。
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外置型天线的接口类型一般属于N型（）。
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高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。
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在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
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N型半导体是在本征硅或锗中掺入（）价元素而得到的。
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在半导体中掺入施主杂质，其将成为N型半导体。
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纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
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P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么
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2、N型半导体中（）浓度相当高。
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试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>，10<sup>16</sup>，10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
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【简答题】P型杂质半导体、N型杂质半导体多子、少子分别是什么？
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N型半导体中多数载流子是（）。（晶体管）
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4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
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24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。