空间电荷区宽度
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将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将()。
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PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
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PN结外加反向电压时,外力日电场的方向与自建电场的方向一致,使空间电荷区(),势垒加高。
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二极管两端加反向电压时,PN结的空间电荷区()。
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空间电荷区形成之后,正负电荷的互相作用,在空间电荷区中产生了一个()。
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P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
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把N型和P型半导体有机结后在一起,通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。()
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最大空间电荷区宽度
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隧道击穿主要取决于空间电荷区中的()。
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PN结加正向电压时,空间电荷区将( ),加反向电压时,空间电荷区将( )。
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PN结加反向电压时,空间电荷区变窄,因此电流很小,可以忽略
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◑PN结加正向电压时,空间电荷区将()。◑A.变窄◑B.基本不变◑C.变宽◑D.无法确定
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PN结空间电荷区是由(_ _ _)
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空间电荷区的正离子和负离子不可以复合()
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【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄,反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将()
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄()
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【判断题】PN结加反向电压时,空间电荷区变窄,因此电流很小,可以忽略
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1、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()
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以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中,正确的是()。
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7、PN结是在两种半导体交界面,由离子薄层形成的空间电荷区,因此PN结带电。
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15、PN结形成后,空间电荷区由 组成。
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18、PN结的空间电荷区的电荷有()。
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