把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（）

相似题目

• 二极管是P型半导体和N型半导体结合在一起，在交界面（）。

  A . PN结 B . 耗尽层 C . 连接层 D . 阻挡层 E . 耗尽层 F . 扩散层

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• 当P型半导体和N型半导体联结在一起时，在它们交界处要发生电子和空穴的（）。

  A . 交换运动 B . 分配运动 C . 位移运动 D . 扩散运动

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• 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

  A . 正确 B . 错误

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• 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。

  A . A．自由电子，空穴；扩散，飘移 B . B．空穴，自由电子；漂移，扩散 C . C．空穴，自由电子；扩散，漂移 D . D．自由电子，空穴；漂移，扩散 E . E．自由电子，空穴；扩散，扩散

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• N型和P型半导体都是电中性的，对外不显电性。

  A . 正确 B . 错误

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• 当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

  A . 正确 B . 错误

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• 用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。

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• 怎样区分N型半导体和P型半导体（）

  A . N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素 B . N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素 C . N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同 D . N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不

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• 扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的

  A . 正确 B . 错误

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• 半导体三级管有（）P型和N型半导体结合在一起而构成。

  A . 二层 B . 三层 C . 四层 D . 五层

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• 二极管的结是P型和()型半导体用特殊工艺紧贴在一起的。

  A . A．N B . B．Z C . C．B D . D．I

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• 当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。

  A . 正确 B . 错误

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• 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。

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• 在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）

  A . 电子、空穴 B . 空穴、电子 C . 电子、电子 D . 空穴、空穴

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• 在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。

  A . A．空穴／自由电子 B . B．自由电子／空穴 C . C．空穴／共价键电子 D . D．负离子／正离子

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• P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。

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• N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

  A . 正确 B . 错误

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• 半导体冷却器N型和P型半导体之间的导流片常采用（）。

  A . 镀银陶瓷板 B . 薄云母板 C . 紫铜板 D . 铝或铜的氧化物层

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• 将P型半导体和N型半导体经过特殊工艺加工后，会有机地结合在一起，就在交界外形成了电荷的薄层，这个带电荷的薄层称为（）。

  A . A、PN节 B . B、N型节 C . C、P型节 D . D、V型节

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• P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。

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• 纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.

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• 3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。

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• 47、当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 。

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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