N型和P型半导体都是电中性的，对外不显电性。
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P型半导体，N型半导体，PN结都具有单向导电性。
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当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流流过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。
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用特殊工艺把P型和N型半导体结合在一起，在它们交界面上形成的特殊（）称做PN结。
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怎样区分N型半导体和P型半导体（）
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半导体三级管有（）P型和N型半导体结合在一起而构成。
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二极管的结是P型和()型半导体用特殊工艺紧贴在一起的。
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当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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因为P型半导体中空穴多于电子，因此P型半导体呈正电性。
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P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
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把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（）
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不论P型半导体还是N型半导体，就半导体器件来说都是带电的。
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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半导体冷却器N型和P型半导体之间的导流片常采用（）。
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原子对外不显电性的原因：组成其结构的质子与电子所带电荷数相等，电性相反，正、负电荷相对平衡
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由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有（）导电性，其中N极接正，而P极接负的电压称为（）电压，此时PN结截止。
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P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。
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肖特基二极管是利用金属和N型或P型半导体接触形成具有单向导电性的二极管，又叫金属半导体二极管。
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N型半导体对外（）。
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3、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
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N型半导体的功函数肯定比P型半导体大
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N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电， 而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。此题为判断题(对，错)。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理
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