方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大，反之，电阻越小。
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扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
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杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
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杂质在硅中的扩散方式有哪些？
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）分布。
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在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
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杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
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热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。
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恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）
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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
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二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
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在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。
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下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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4、常见的固态硼源扩散杂质源为
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4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
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下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
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以下属于间隙式扩散的杂质有（）
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4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)
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当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。
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1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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扩散工艺中杂质浓度分布的测量可以采用（)法测试。
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
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