4、常见的固态硼源扩散杂质源为

相似题目

• 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。

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• 燃料中固态矿物杂质是（）。

  A . 水分 B . 碳 C . 氢 D . 灰分

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• 杂质在硅中的扩散方式有哪些？

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• 在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

  A . 填隙扩散 B . 杂质扩散 C . 推挤扩散 D . 自扩散

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• 固态金属根据扩散过程中是否发生浓度变化分为（）。

  A . 原子扩散与反映扩散 B . 自由扩散与点扩散 C . 下坡扩散与上坡扩散

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• 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

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• 简述固态扩散的条件

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• 二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。

  A . 预 B . 再 C . 选择

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• 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。

  A . 正确 B . 错误

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• 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。

  A . 硼 B . 锡 C . 锑 D . 磷 E . 砷

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• 常见物质的积聚状态有:气态、液态、固态三种。其各自的物理特征:气态分子间引力小,可以自由的充满整个空间;液体分子间作用力较大,但有空缺,具有一定的流动性和扩散性;固态微粒紧密堆积,其形态不易改变。()此题为判断题(对，错)。

  是 否

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• 扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

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• 4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

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• 下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。

  A．气态源扩散 B．液态源扩散 C．固态源扩散 D．旋涂源扩散

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• 方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越大，反之，电阻越小。

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• 以下属于间隙式扩散的杂质有（）

  A．u B．Na C．K D．Ge E．Ga

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• 烟气中的杂质在高温下一般以气态和固态两种形态存在，当温度降到一定程度后则以固态、液态和气态同时存在。（)

  是 否

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• 4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)

  A．下降 B．不变 C．上升 D．无变化规律

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• 优质酸奶呈均匀的半固态黄色、无杂质、异味、味稍甜并带有酸奶香味（）

  是 否

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• 当扩散电阻的表面杂质浓度低时，温度增加，压阻系数下降得（);当扩散电阻的表面杂质浓度高时，温度增加，压阻系数下降得（)。

  A．快慢 B．慢快 C．慢慢 D．快快

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• 1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。

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• 6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。

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• 18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为

  A．替位式扩散 B．间隙式扩散 C．有限源扩散 D．恒定源扩散

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• 6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为

  A．替位式扩散 B．恒定源扩散 C．间隙式扩散 D．有限源扩散

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