一般来说，结晶粗大说明缝洞规模大；晶体小、他形结晶多说明结晶空间狭窄、缝洞小（）
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一般通过改变（）来改变单结晶体管触发电路的震荡频率。
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一次结晶的晶粒越粗大，柱状结晶的方向越明显，则产生冷裂纹的倾向也越大。
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在MGB1420万能磨床中，对于单结晶体管来说，一般选n在（）左右。
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一般说来，结晶粗大，说明缝洞规模大，晶体小，他形晶越多，说明结晶空间狭窄、缝洞小。
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一般而言，自形晶越多，自形程度越高，透明度越好，说明结晶自由空间大，岩层缝洞中充填物多，开启程度好。反之，他形晶越多，缝洞开启程度越差。
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在甲结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管导通角θ（）
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聚合物结晶与小分子结晶比较，一般具有晶体不完善、（）及结晶速度慢等特点。
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熟料冷却速度慢，（）结晶粗大数量多。
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KGLF11系列晶闸管同步电动机励磁装置的触发电路采用带小功率晶闸管放大的单结晶体管触发电路（）
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一次结晶的晶粒越粗大，柱状结晶的方向越明显，则产生裂纹的倾向也就越大。
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改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般采用（）。
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单结晶体管触发电路的最大移相范围一般在（）。
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一般单结晶体管的谷点电压在（）V。
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铅蓄电池初充电过程中不许中断电源，以免刚恢复了的有效无只有以及小的电流密度，在活性物质深处形成粗大的（）结晶，使初充电难以进行。
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金属获得粗大再结晶晶粒的变形度称为（）。
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聚合物结晶与小分子结晶比较，一般具有（）、（）及（）等特点。
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一般采用（）方法来改变单结晶体管触发电路的振荡频率。
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改变单结晶体管触发电路的振荡频率，一般采用改变（）的方法。
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在单结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管的导通角（）。
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结晶的一般过程包括（）及晶体长大过程。
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在单结晶体管触发电路中，调小电位器的阻值，会使晶闸管的导通角θ（）
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在MGB1420万能磨床中，对丁单结晶体管来说，一般选州n在（）左右
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＞在MGB1420万能磨床中，对于单结晶体管来说，一般选用n在（）左右
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一般情况下，单结晶体管是一种特殊类型的二极管它具有（）。