下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

相似题目

• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。

  A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和 B . 有空间总和 C . 是"全或无"的 D . 以电紧张方式扩布

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（）。

  A . 是局部去极化电位 B . 具有"全或无"性质 C . 是局部超极化电位 D . 由突触前膜递质释放量减少所致 E . 由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()

  A . A．Cl通道开放可降低IPSP B . B．多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . C．IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E . E．IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

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• 关于抑制性突触后电位不正确()

  A . A．不能发生时间和空间总和 B . B．能发生时间和空间总和 C . C．不存在于脊髓反射过程中 D . D．与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . E．可发生在突触前抑制过程中

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）

  A . Cl 通道开放可降低IPSP B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 D . IPSP使神经元的兴奋性增加 E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K 和Cl 的通透性有关

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• 关于突触前抑制的叙述，正确的是（）

  A . 突触前膜超极化 B . 突触后膜超极化 C . 突触前膜去极化 D . 突触后膜去极化 E . 没有神经递质参与

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）

  A . 突触前轴突末梢超极化 B . 突触后膜对Ca 、K 的通透性增大 C . 突触后膜去极化 D . 突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . 突触后膜对K 、Na ，尤其是K 的通透性增大

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• 关于抑制性突触后电位不正确（）

  A . 不能发生时间和空间总和 B . 能发生时间和空间总和 C . 不存在于脊髓反射过程中 D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关 E . 可发生在突触前抑制过程中

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• 突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）

  A . 电位大小随刺激的强度改变 B . 有时间总和 C . 有空间总和 D . 是"全或无"的 E . 以电紧张方式扩布

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• 下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。

  A . 突触前膜均去极化 B . 突触后膜均去极化 C . 突触前膜释放的递质性质一样 D . 突触后膜对离子通透性一样

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• 关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()

  A . A．突触前轴突末梢超极化 B . B．突触后膜对Ca、K的通透性增大 C . C．突触后膜去极化 D . D．突触后膜电位负值增大，出现超极化 E . E．突触后膜对K、Na，尤其是K的通透性增大

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• 抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是

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• 关于突触后抑制的叙述，错误的是（）

  A．由抑制性突触活动所引起 B．突触前膜释放抑制性递质 C．突触后膜发生超极化 D．突触后膜发生去极化 E．突触后膜产生抑制性突触后电位

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• 4、关于抑制性突触后电位，以下正确的是

  A．是局部去极化电位 B．是局部超极化电位 C．由突触前膜递质释放量减少所致 D．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 关于兴奋性突触后电位，下列叙述正确的是（）。

  A．突触后膜对Ca2+通透性较高 B．总是会引起动作电位的发生 C．重复刺激下可发生时间总和 D．突触后膜对Na+通透性较高 E．兴奋性突触后电位是突触前神经冲动引起的全或无反应

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• 关于兴奋性突触后电位的叙述，错误的是（）

  A．突触前神经元释放兴奋性递质 B．突触后膜产生除极化变化 C．突触后膜对Ca²⁺通透性增加 D．主要使突触后膜Na⁺内流 E．兴奋只能由前膜向后膜传递

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• 关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)

  A．多由抑制性中间神经元返回的冲动产生 B．Cl-通道开放可降低IPSP C．IPSP常由乙酰胆碱受体通道传递 D．IPSP使神经元的兴奋性增加 E．神经元产生去极化性抑制

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• 下列关于抑制性突触后电位的叙述（）

  A．是局部去极化电位 B．具有“全或无”性质 C．是局部超极化电位 D．由突触前膜递质释放量减少所致 E．由突触后膜对钠通透性增加所致

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• 下列关于兴奋性突触后电位的叙述，正确的是（）

  A．是由突触前神经元释放抑制性递质而引起 B．性质上属于动作电位，但幅度较小 C．重复刺激可发生时间总和 D．通过突触后膜 K通道开放而产生 E．突触后神经元受刺激兴奋

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• 下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（）

  A．a2+由膜外进入突触前膜内 B．突触前末梢去极化 C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合 D．突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高 E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

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• 关于突触前抑制的叙述，正确的是（）。

  A．突触前膜产生去极化 B．突触前膜产生超极化 C．兴奋性递质释放减少 D．抑制性递质释放增加

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