关于抑制性突触后电位不正确()
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()。
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突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。
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关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
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关于抑制性突触后电位不正确()
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抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
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关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
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下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征()。
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
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抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。
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4、关于抑制性突触后电位,以下正确的是
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抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现()
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突触前抑制的轴一体突触处,突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B.兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处,突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B.兴奋性突触后电位绝对值减小 C.抑制性突触后电位绝对值减小 D.抑制性突触后电位绝对值增大 E.突触后电位变化不大
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关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项正确:()
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抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现()
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下列关于抑制性突触后电位的叙述()
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抑制性突触后电位抑制性突触后电位()
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