发射结处于正偏的晶体管，它一定工作在放大区（）

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• 晶体三极管的发射结正偏时，三极管一定工作在放大状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体管工作在放大区时，发射结处于（）。

  A . A、正向偏置 B . B、反向偏置 C . C、正偏或反偏 D . D、不能确定

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• 当晶体管发射结正偏，晶体管工作在放大区。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体三极管具备放大功能的条件是发射结正偏和（）。

  A . A、发射结反偏 B . B、集电结反偏 C . C、基结反偏 D . D、接收结反偏

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• 晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。

  A . A、0.2V B . B、0.3V C . C、0.5V D . D、0.7V

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• 晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏，发射结也处于正偏状态。

  A . 正确 B . 错误

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• 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A . A．前者反偏、后者也反偏 B . B．前者正偏、后者反偏 C . C．前者正偏、后者也正偏 D . D．前者反偏、后者正偏

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• 晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。

  A . 正确 B . 错误

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• 测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（）区；如皆为反偏，则它工作在（）区。

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• 当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）

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• 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为

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• 1、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A．前者反偏，后者也反偏； B．前者正偏，后者反偏； C．前者正偏，后者也正偏； D．不能确定

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• 晶体管工作在放大区时，发射结（）向偏置，集电结（）向偏置。

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• 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。

  A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏

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• 半导体三极管放大原理当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）

  A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者也正偏 D．无法确定

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• 晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏

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• 当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）

  A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态

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• 4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

  A．前者反偏，后者也反偏； B．前者正偏，后者反偏； C．前者正偏，后者也正偏； D．不能确定；

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• 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。

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• 测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（)区;如皆为反偏，则它工作在（)区。

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