晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏，发射结也处于正偏状态。
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晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。
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晶体三极管饱和时发射结和集电结都处于（）偏置。
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晶体三极管用于饱和时，应使其发射结、集电结处于（）
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当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。
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三极管起电流放大作用的外部条件是：发射结正偏，集电结（）。
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当三极管集电结反偏，发射结也反偏时，集电极电流将（）。
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晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。
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当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
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三极管处于饱和状态时，发射结、集电结的状态为：（）。
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如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
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晶体三极管集电结和发射结均于反向偏置时，三极管处于饱和状态。
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晶体三极管饱和区的特点是发射结和集电结处于反偏状态。
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晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。
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三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态。
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晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
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测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于()
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三极管在饱和状态时，发射结和集电结都处于正向偏置。（)
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3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
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3.三极管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。
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三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
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晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
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【单选题】晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为 （)。
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当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）