如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
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当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。
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三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）
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对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）
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若三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减少时，使该三极管（）
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三极管起电流放大作用的外部条件是：发射结正偏，集电结（）。
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当三极管集电结反偏，发射结也反偏时，集电极电流将（）。
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当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
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晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏，发射结也处于正偏状态。
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晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。
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三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏。
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测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（）区；如皆为反偏，则它工作在（）区。
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三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态。
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三极管工作在放大状态的外部条件是，发射结正偏，集电结反偏 。
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三极管发射结反偏,集电结反偏,说明三极管处于放大状态。（)
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晶体管放大条件是发射结反偏，集电结正偏。（）
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测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于()
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3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
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三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
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晶体管处于放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏
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当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，晶体管处于（）
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晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。
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三极管放大作用的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。（)
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测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（)区;如皆为反偏，则它工作在（)区。