烤瓷金属联冠形成覆盖区的方法，正确的是（）

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• 金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）

  A . 上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉 B . 代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉 C . 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉 D . 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉 E . 上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

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• 关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是（）

  A . 蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度 B . 表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合 C . 切缘应成锐角 D . 厚度均匀一致，表面光滑圆钝 E . 金-瓷衔接处应在咬合功能区

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• 在部分瓷覆盖的金属烤瓷桥中，桥体的金-瓷交界线位于（）

  A . ['颊侧无https://assets.asklib.com/psource/2015101513454589463.jpg 接触部位B . 舌侧无https://assets.asklib.com/psource/2015101513454589463.jpg 接触部位C . 颊侧https://assets.asklib.com/psource/2015101513454589463.jpg 边缘嵴D . 舌侧https://assets.asklib.com/psource/2015101513454589463.jpg 边缘嵴E .https://assets.asklib.com/psource/2015101513454589463.jpg 接触部位

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• 金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是()

  A . A．上架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉 B . B．代型的制作-上架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉 C . C．代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上架-瓷层的堆塑-修形-上釉 D . D．代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上架-修形-上釉 E . E．上架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

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• 以下情况制作烤瓷熔附金属全冠时，可设计全瓷覆盖的是（）。

  A . ['咬合紧的上前牙B . 覆盖过小的前牙C .https://assets.asklib.com/psource/201511281418337912.jpg 力大的前牙D . 无咬合的上前牙E .https://assets.asklib.com/psource/201511281418337912.jpg 力过大的上颌后牙

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• 金属烤瓷桥制作的工艺流程正确的是（）。

  A . ['上https://assets.asklib.com/psource/2015091010514118897.jpg 架-代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉B . 代型的制作-上https://assets.asklib.com/psource/2015091010514118897.jpg 架-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-修形-上釉C . 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-上https://assets.asklib.com/psource/2015091010514118897.jpg 架-瓷层的堆塑-修形-上釉D . 代型的制作-金属基底冠蜡型的制作-瓷层的堆塑-上https://assets.asklib.com/psource/2015091010514118897.jpg 架-修形-上釉E . 上https://assets.asklib.com/psource/2015091010514118897.jpg 架-代型的制作-瓷层的堆塑-金属基底冠蜡型的制作-修形-上釉

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• 金属塑料联合桥增力桥架的厚度不能低于()烤瓷桥金属底层支架的龈面与牙槽嵴间留出的间隙应约()在金属烤瓷桥修复中，凡被瓷体覆盖的金属表面应留出的间隙为()在金属塑料联合后牙桥金属部分制作时，首先在工作模型失牙区的牙槽嵴上放置烤软的蜡片或印模胶，在与对颌模咬合时，留出的间隙为()

  A . A．0.5mm B . B．1.0mm C . C．1.5～2.0mm D . D．2.5mm E . E．3mm

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• 以下情况制作烤瓷熔附金属全冠时，可设计全瓷覆盖的是（）

  A . ['咬合紧的上前牙B . 覆盖过小的前牙C .https://assets.asklib.com/psource/2015101517243151280.jpg 力大的前牙D . 无咬合的上前牙E .https://assets.asklib.com/psource/2015101517243151280.jpg 力过大的上颌后牙

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• 在部分瓷覆盖的金属烤瓷桥中，桥体的金瓷交界线位于（）。

  A . A.颊侧无牙合接触部位 B . B.舌侧无牙合接触部位 C . C.颊侧牙合边缘嵴 D . D.舌侧牙合边缘嵴 E . E.牙合接触部位

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• 对金属烤瓷桥连接体叙述正确的是（）

  A . A.在不影响咬合的前提下，可稍向舌侧 B . B.在不影响强度的原则下，可稍向唇侧 C . C.在不影响发音的原则下，尽可能向龈端 D . D.在不影响咬合的前提下，尽可能向切端 E . E.在不影响强度的原则下，可稍向邻面

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• 以下情况制作烤瓷熔附金属全冠时，可设计全瓷覆盖的是（）.

  A . ['咬合紧的上前牙B . 覆盖过小的前牙C .https://assets.asklib.com/psource/201511221656125243.jpg 力大的前牙D . 无咬合的上前牙E .https://assets.asklib.com/psource/201511221656125243.jpg 力过大的上颌后牙

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• 关于金属烤瓷桥金属基底支架蜡型叙述正确的是()

  A . A．蜡型厚度应保证金属基底支架为0.2mm厚度 B . B．表面呈凹陷状，利于金-瓷压缩结合 C . C．切缘应成锐角 D . D．厚度均匀一致，表面光滑圆钝 E . E．金-瓷衔接处应在咬合功能区

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• 对金属烤瓷桥连接体叙述正确的是()

  A . A．在不影响咬合的前提下，可稍向舌侧 B . B．在不影响强度的原则下，可稍向唇侧 C . C．在不影响发音的原则下，尽可能向龈端 D . D．在不影响咬合的前提下，尽可能向切端 E . E．在不影响强度的原则下，可稍向邻面

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• 对金属烤瓷桥连接体叙述正确的是（）。

  A . 在不影响咬合的前提下，可稍向舌侧 B . 在不影响强度的原则下，可稍向唇侧 C . 在不影响发音的原则下，尽可能向龈端 D . 在不影响咬合的前提下，尽可能向切端 E . 在不影响强度的原则下，可稍向邻面

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• 某患者，33烤瓷联冠修复，临床试戴基底冠时，发现1颈缘均匀短0．4mm，其余密合，出现此种现象最可能的原因是（）。

  A . 1|基底冠蜡型制作时间过短 B . 1|代型复位不良 C . 铸造不全 D . 颈缘打磨过多 E . 间隙剂过薄

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• 烤瓷金属联冠形成覆盖区的方法，正确的是（）

  A . 先将蜡冠切缘及https://assets.asklib.com/psource/2015111216043334422.jpg 面削去1.5mm厚的蜡B . 削去邻面1.5mm的蜡C . 唇侧颈部的蜡修整到0.3mm厚D . 蜡型符合要求后，在切缘处放一个长度为3mm，直径为1.0mm的细蜡条E . 以上均正确

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• 制作金属烤瓷桥金属支架蜡型叙述正确的是（）

  A . 0.5mm B . 1mm C . 2mm D . 2.5mm E . 3mm

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