干氧
时间:2022-10-24 07:11:44
所属题库:集成电路工艺原理题库
相似题目
-
干氧氧化法有一些优点,但同时它的缺点有()。
-
一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表,玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。(1)在1200℃下,采用H2O氧化,使厚度增加0.5um需要多少时间?。(2)在1200℃下,采用干氧氧化,增加同样的厚度需要多少时间?
-
在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水汽氧化,哪个需要的时间最长?()
-
干氧氧化法具备以下一系列的优点()。
-
说明水汽氧化的化学反应,水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢?为什么?
-
干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个大气压。
-
湿氧氧化兼有干氧氧化和水气氧化的特点()
-
1、杂质的扩散掺杂两种方式: 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺,结合两种扩散工艺,分为 和 ,预淀积是惰性气氛下的 扩散,目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散,将窗口杂质再进一步向片内扩散,目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关,在干氧氧化时, 晶面的氧化增强的效果最强。 5、(判断)硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离,无需再退火激活,这种说法是否正确。