现场在强电场干扰下测量电介质的tgδ目前采用的方法有（）
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在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数tgδ，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是错的。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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现场环境温度为20℃测得220kV膜纸绝缘电容式电压互感器介质损tgδ值为0.4%。合格
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在一定频率的交流电场中，当一定电压施加给某一绝缘介质时，其损耗与tgδ成正比。
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在有强电场干扰的现场，测量试品介质损耗因数，有多种抗干扰测量方法，并各有一定的局限性，但下列项目（）的说法是正确的。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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采用末端屏蔽法是测量串级式电压互感器介损tgδ的方法之一。其方法是高压端A加压，X端和底座接地，二、三次短路后，引入介损仪，采用正接线。
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分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
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采用（）的方法能消除tgδ测量的磁场干扰。
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用西林电桥测量tgδ时，若有磁场干扰，试述其消除方法？
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用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰，需要先在试验电源正、反相两种极性下，测量两组数据：C1tgδ1、C2tgδ2，然后按公式（）计算出试品的实际的tgδ值。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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在强电场作用下，电介质丧失电绝缘能力的现象分为（）。
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测量tgδ常用（）、（）（介质试验器）或（）来测量。
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现场测量tgδ时，往往出现－tgδ，阐述产生－tgδ的原因？
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用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
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测量tgδ时，如果发现有外界电磁场的干扰，通常采取什么措施以保证测量的顺利进行？
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量tanδ的方法称为选相倒相法。()
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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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测量电气设备介质损耗角正切值t对nδ时，消除电场干扰影响的方法中使用移相器改变试验电压的相位，在试验电流与干扰电流相同和相反两种情况下分别测量t对nδ的方法称为移相法（）
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