在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
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在分析小电容量试品的介质损耗因素的测量结果时,应特别注意的外界因素是()。
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若试品的电容量为10000pF,加10kV电压测量介损,试验变压器的容量选择应不小于()。
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用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时,试验电压为10kV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算Cx之值。(R4为定值3184Ω)
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时,可选择接线方法是()。
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在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时,受外界影响的因素很多,往往引入很多误差,这类试品主要是指()。
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若试品的电容量为10000pF,测量介损tgδ时加压10kV,试验变压器容量选择应不小于()kVA。
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测量互感器、套管等小电容量试品的介损tgδ时,如试品周围近距离内有大面积接地物体(墙壁、构架、栅栏等),通过()耦合,会影响测量结果的真实性;对大电感试品,应将线圈首尾(),以消除电感、电容对测量准确度的影响。
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分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn,则并联在一起测得的介损值为这些值中的()。
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用正接接线方式,测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ,如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏(接地小套管)接触不良,影响介损测量结果准确性。
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要反映()
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测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ,其绕组一次首尾端短接后加压,其余绕组首尾端短路接地,此方法一般称为()。
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分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时,应特别注意哪些外界因素的影响?
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当被试品电容量很小,测量其介损tgδ时,介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。
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用倒相法消除外电场对tgδ测量的干扰,需要先在试验电源正、反相两种极性下,测量两组数据:C1tgδ1、C2tgδ2,然后按公式()计算出试品的实际的tgδ值。
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用反接线测量电磁式电流互感器的介损,一次加压,二次开路,对其测量介损tgδ值影响不大。
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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时,若存在电场干扰,则在任意测试电源极性的情况下,所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
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用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时,其电容量应是整体电容量的()。
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使用常规法测量电压互感器的介损tgδ误差较大的原因主要是()。
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用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时,如连接试品的Cx引线过长,则应从测得值中减去引线引入的误差值,此误差值为()。(其中C0为Cx引线增长部分的电容值;R3为测试时桥臂R3的读数;R4为桥臂R4的值)。
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小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时,可选择的接线方法是()。
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在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()