用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
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对110kV及以上电压等级互感器，每年必须进行一次（）的介损试验。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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在预防性试验中，用QS型高压交流电桥测量35kV及以上电力变压器介质损失时，其值应小于（）
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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用自激法测量110kV电容式电压互感器介损及电容量，操作不正确的是（）。
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在预防性试验中，用QS型高压交流电桥测量35kV及以上电力变压器介质损失时，其值应小于（）。
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QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
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