用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
相似题目
-
测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
-
现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）
-
测量变压器整体对地介损tgδ，可采用介损仪正接线及反接线。
-
在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？
-
采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
-
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
-
若试品的电容量为10000pF，测量介损tgδ时加压10kV，试验变压器容量选择应不小于（）kVA。
-
用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
-
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。
-
在现场测量介损tgσ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。
-
用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
-
用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
-
绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
-
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
-
用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
-
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
-
一支220KV套管运行一年后，其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%，可能原因是（）。
-
绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
-
用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ时，如连接试品的Cx引线过长，则应从测得值中减去引线引入的误差值，此误差值为（）。（其中C0为Cx引线增长部分的电容值；R3为测试时桥臂R3的读数；R4为桥臂R4的值）。
-
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
-
用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
-
采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
-
采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
-
35kV变压器出厂验收时，绕组连同套管对地及其余绕组间的介损tgδ不大于（)%
推荐题目
- 以下关于请柬和邀请书的说法中，正确的有（）。
- 全球天然气产量持续增长，（）是主要产区。
- 无纸化审批流程中，来源于农发行外部的（）和客户签字盖章、涉及债权债务关系的有关资料，应按照报批有关规定扫描上传到系统中。
- B细胞的免疫功能不包括（）
- 我国创办的第一个幼儿教育机构是（）。
- 关于国际保安证书和临时国际保安证书的法律效力的陈述，正确的是（）。
- 完成接机后，导游与领队交换名片，确认事项不包括的内容有（）。
- 在正常状态下，粪便储存在：（）
- Robert Fulton’s invention, an airphibian, can best be described as______.
- 清代边疆管辖制度中，郡县，八旗制，盟旗，伯克，土司制度并存，表明出政府（）。