使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。

测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？

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QS1型交流电桥是测量介质损耗正切值的专用仪器，适用于变压器、电机、电缆等高压设备介质损耗正切值的测量。

A . 正确 B . 错误

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在使用技术条件允许范围内，QS1交流电桥的测量灵敏度与试验电压成（）比，与标准电容器电容量成（）比。

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。

A . 正确 B . 错误

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。

A . 正确 B . 错误

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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。

A . A、0.01 B . B、0.025 C . C、0.06 D . D、0.15

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

A . 正确 B . 错误

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）

A . 把电桥移到磁场以外去测量 B . 使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值 C . 提高试验电压 D . 在被试设备上加装屏蔽罩

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QS1型交流电桥在使用时有通常有以下（）接线方法

A . 正接线 B . 反接线 C . 侧接线 D . 低压接线

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使用QS1交流电桥时，若光带有显示，但检流计调谐不能谐振，则故障原因可能是电桥专用引出线断线。

A . 正确 B . 错误

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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

A . 10kV B . 1.1倍相电压 C . 2.2倍相电压 D . 线电压

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QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。

A . 两端、高电位 B . 两端、低电位 C . 一端、低电位 D . 一端、高电位

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使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。

A . 0.01 B . 0.025 C . 0.06 D . 0.15

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QS1型交流电桥测量时，接好线后首先，接通电源，合上光源开关，用“调零”旋钮，使光带位于中间位置，加试验电压，并将“tanØ”转至“接通”位置。接着增加检流计灵敏度，旋转调谐旋钮，找到谐振点，使光带展至最大宽度，再调节R3使光带缩窄。增加灵敏度按R3、C4、ρ的顺序反复调节，使光带缩至最窄（一般不超过4mm），这时电桥达到平衡。

A . 正确 B . 错误

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。

A . 正确 B . 错误

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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

A . 提高试验电压 B . 采用正接线方法 C . 用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰 D . 在被试设备上加装屏蔽罩

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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。

A . 10Kv B . 1.1倍相电压 C . 线电压

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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。