采用QS1电桥测量tanδ的接线方式有（）
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测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？
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现场测试中，使用QS1电桥测tgδ%，下列设备哪些适合正接线。（）
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采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）
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测试介质损失角正切时，QS1型西林电桥有（）种接线方式。
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用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时，当具备电压等级足够的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
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用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。
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绘图题：画出用QS1型西林电桥测量－tgδ的原理接线图（正接线）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
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用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时，当具备电压等级足够高的标准电容器时，按正接法测量，试验电压最高可加到（）。
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变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
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QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
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绘图题：画出QS1型西林电桥反接线测量tgδ时原理接线图。
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用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？
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采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。
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采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）。
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使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
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在相同条件下，用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。()
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某试验站采用西林电桥测量绝缘套管的介质损耗正切值tanδ，采用的电压频率f=50Hz，电桥内的电阻R4取3184Ω，调节电阻R3及电容C4使检流计指零，此时电容C4的电容量为0.08F，则介质损耗正切值tanδ为（）
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