功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。（)
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功率MOSFET对驱动电路的要求是（）。
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（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
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按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
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目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和（）等等。
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N沟道MOSFET管的导通条件是（）。
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功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。
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单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
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功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）电压控制器件。
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简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
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单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
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按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。
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功率MOSFET可多个管子并联工作，具有（）能力。
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N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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【单选题】P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置（)
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当N沟道增强型MOSFET的VDS增大,VGD会增大,当VGD增大至开启电压VT时产生预夹断（）
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P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
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当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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9、N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ＞______, UDSQ＞______。
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E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
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15、作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。
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12、一般把增强型MOSFET在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压称为（）。