单极型晶体管又称为()管。其导电沟道分有()沟道和P沟道。
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双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。
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()是利用外加电场,使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘栅型)沟道或改变原来导电的大小(结型)来控制电导率变化的原理制成的。
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D沟道型场效应管中的载流子是()
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单极型晶体管又称为()管,其导电沟道有()沟道和()沟道。
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增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在UGS作用下形成漏极电流ID。
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绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种
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P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
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双极型晶体管导电的载流子是_________;N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
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制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度,以防在栅压为零时就出现导电沟道。()
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功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。()
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻(RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下,当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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P-MOSFET栅偏压为零时,漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。()
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当uGS =0时,()导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
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N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高,沟道电阻()
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E-MOSFET根据导电沟道的电极性,分为N沟道和P沟道。
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N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时,栅源电压为负值()
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47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
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3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。
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11、对增强型MOS管,只有在栅源电压绝对值大于 后,才会形成导电沟道。
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24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
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19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子,因此存在原始的导电沟道。
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结型场效应管分为N沟道和P沟道两种结构形式()
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3、增强型场效应管当栅源电压为零时,存在导电沟道。
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4、PMOS管的导电沟道中依靠 导电。
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